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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3288
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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