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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3568
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
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