RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
40
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3045
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link