RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
2124
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link