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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
3224
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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