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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
2584
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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