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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
58
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
58
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
1968
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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