Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Puntuación global
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.2 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 5.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 41
    En -32% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.2 left arrow 10.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 5.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2412 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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