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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
40
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2412
2709
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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