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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
3187
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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