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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
29
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
3288
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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