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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
2104
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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