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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
52
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
2306
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
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