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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
53
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
53
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
2356
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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