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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
65
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
65
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
2041
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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