RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
3563
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link