RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
3744
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link