RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
3700
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link