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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
44
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
3527
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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