RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2938
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link