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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2871
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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