RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
51
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,135.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
48
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2196
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link