RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
51
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
38
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2908
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link