RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2462
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link