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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1916
3583
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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