RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3337
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link