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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2408
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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