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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2462
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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