RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2728
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link