RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
35
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link