RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2302
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link