RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
49
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2504
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link