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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2354
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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