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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
1970
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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