RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
38
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2404
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link