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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2558
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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