RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
68
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
68
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
1812
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link