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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
62
En -63% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2856
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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