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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
3650
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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