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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
62
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
57
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
2377
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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