RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
66
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
1912
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link