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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3740
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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