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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3132
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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