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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2731
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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