RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
48
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3061
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link