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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3738
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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