RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
3035
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link