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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
62
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
62
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2138
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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