RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2286
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link