RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2251
2272
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link